R5019ANJTL概述
LPTS N-CH 500V 19A
表面贴装型 N 通道 19A（Ta） 100W（Tc） LPTS
得捷:
MOSFET N-CH 500V 19A LPTS
贸泽:
MOSFET Nch 500V 19A MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 500V 19A 3-Pin2+Tab LPTS T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 19A LPTS
R5019ANJTL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 115 ns
输入电容Ciss 2050pF @25VVds
额定功率Max 100 W
下降时间 100 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买R5019ANJTL