R6020FNX

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R6020FNX概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

N-Channel 600V 20A Tc 50W Tc Through Hole TO-220FM


得捷:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM


贸泽:
MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 20A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM


R6020FNX中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 2040pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

最小包装 1000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R6020FNX引脚图与封装图
R6020FNX引脚图
R6020FNX封装图
R6020FNX封装焊盘图
在线购买R6020FNX
型号: R6020FNX
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

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