RSJ10HN06TL

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RSJ10HN06TL概述

N沟道 60V 100A

N-Channel 60V 100A Ta 100W Tc Surface Mount LPTS


得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS


立创商城:
N沟道 60V 100A


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin2+Tab LPTS T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS


RSJ10HN06TL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 100W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 11000pF @10VVds

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RSJ10HN06TL
型号: RSJ10HN06TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:N沟道 60V 100A

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