R6076ENZ1C9概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 600 V, 0.038 ohm, 10 V, 4 V
N-Channel 600V 76A Tc 120W Tc Through Hole TO-247
得捷:
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 76 A, 0.038 ohm, TO-247, 通孔
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V ±76A 3-Pin TO-247 Tube
Newark:
# ROHM R6076ENZ1C9 MOSFET, N-CH, 600V, 76A, TO-247 New
儒卓力:
**N-CH 600V 76A 42mOhm TO247-3 **
R6076ENZ1C9中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 76A
上升时间 170 ns
输入电容Ciss 6500pF @25VVds
下降时间 170 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
R6076ENZ1C9引脚图与封装图 
在线购买R6076ENZ1C9
型号： R6076ENZ1C9
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 76 A, 600 V, 0.038 ohm, 10 V, 4 V