R6046FNZ1C9

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R6046FNZ1C9概述

TO-247 N-CH 600V 46A

N-Channel 600V 46A Tc 120W Tc Through Hole TO-247


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R6046FNZ1C9


得捷:
MOSFET N-CH 600V 46A TO247


R6046FNZ1C9中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 120W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 46A

输入电容Ciss 6230pF @25VVds

耗散功率Max 120W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R6046FNZ1C9引脚图与封装图
R6046FNZ1C9引脚图
R6046FNZ1C9封装图
R6046FNZ1C9封装焊盘图
在线购买R6046FNZ1C9
型号: R6046FNZ1C9
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:TO-247 N-CH 600V 46A

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