R6030ENZ1C9概述
ROHM R6030ENZ1C9 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V 新
N-Channel 600V 30A Tc 120W Tc Through Hole TO-247
得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
立创商城:
N沟道 600V 30A
贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin3+Tab TO-247 Bulk
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# ROHM R6030ENZ1C9 MOSFET, N-CH, 600V, 30A, TO-247 New
R6030ENZ1C9中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.115 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 2100pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6030ENZ1C9引脚图与封装图 
在线购买R6030ENZ1C9
型号： R6030ENZ1C9
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6030ENZ1C9 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 4 V 新