R6010ANX参数规格_中文资料_数据手册PDF

R6010ANX概述

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

通孔 N 通道 600 V 10A（Ta） 50W（Tc） TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM

贸泽:
MOSFET Nch 600V 10A MOSFET

安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FM Bulk

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

R6010ANX中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 30 ns

额定功率Max 50 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

R6010ANX引脚图与封装图

在线购买R6010ANX

型号： R6010ANX

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET