RDX100N60FU6参数规格_中文资料_数据手册PDF

RDX100N60FU6概述

Mosfet n-Ch 600V 10A To-220fm

N-Channel 600V 10A Ta 45W Tc Through Hole TO-220FM

得捷:
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM

贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 755-R6011ENX

Win Source:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

RDX100N60FU6中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买RDX100N60FU6

型号： RDX100N60FU6

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Mosfet n-Ch 600V 10A To-220fm