R6035ENZC8概述
ROHM R6035ENZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 4 V 新
N-Channel 600V 35A Tc 120W Tc Through Hole TO-3PF
得捷:
MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF
贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3-Pin3+Tab TO-3PF Bulk
Newark:
# ROHM R6035ENZC8 MOSFET, N-CH, 600V, 35A, TO-3PF New
R6035ENZC8中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.092 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 120 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 2720pF @25VVds
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
R6035ENZC8引脚图与封装图 
在线购买R6035ENZC8
型号： R6035ENZC8
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6035ENZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 4 V 新