R6046FNZC8概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V
N-Channel 600 V 46A Ta 120W Tc Through Hole TO-3PF
得捷:
MOSFET N-CH 600V 46A TO3PF
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin3+Tab TO-3PF Bulk
安富利:
SILICON N-CHANNEL MOS FET
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin3+Tab TO-3PF Bulk
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin3+Tab TO-3PF Bulk
R6046FNZC8中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 130 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 6100pF @25VVds
额定功率Max 120 W
下降时间 80 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 120W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R6046FNZC8引脚图与封装图 
在线购买R6046FNZC8
型号： R6046FNZC8
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 46 A, 600 V, 0.075 ohm, 10 V, 5 V