R6025FNZC8

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R6025FNZC8中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 115 ns

输入电容Ciss 3500pF @25VVds

下降时间 72 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

R6025FNZC8引脚图与封装图
R6025FNZC8引脚图
R6025FNZC8封装图
R6025FNZC8封装焊盘图
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型号: R6025FNZC8
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 5 V

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