RW1E014SNT2R中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 700 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 6 ns
输入电容Ciss 70pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-563-6
外形尺寸
封装 SOT-563-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RW1E014SNT2R引脚图与封装图 
在线购买RW1E014SNT2R
型号： RW1E014SNT2R
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 1.4 A, 30 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 V