RV2C001ZPT2L概述
ROHM RV2C001ZPT2L 晶体管, MOSFET, P沟道, -100 mA, -20 V, 2.5 ohm, -4.5 V, -1 V
P-Channel 20V 100mA Ta 100mW Ta Surface Mount DFN1006-3 VML1006
得捷:
MOSFET P-CH 20V 100MA DFN1006-3
立创商城:
P沟道 20V 100mA
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 20 V, 100 mA, 2.5 ohm, VML1006, 表面安装
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V ±0.1A 3-Pin DFN1006 T/R
Newark:
# ROHM RV2C001ZPT2L MOSFET Transistor, P Channel, -100 mA, -20 V, 2.5 ohm, -4.5 V, -1 V
RV2C001ZPT2L中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 2.5 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 100 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.1A
上升时间 62 ns
输入电容Ciss 15pF @10VVds
下降时间 137 ns
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 100mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VML-1006
外形尺寸
长度 1.00 mm
宽度 0.6 mm
高度 0.4 mm
封装 VML-1006
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/06/15
RV2C001ZPT2L引脚图与封装图 
在线购买RV2C001ZPT2L
型号： RV2C001ZPT2L
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM RV2C001ZPT2L 晶体管, MOSFET, P沟道, -100 mA, -20 V, 2.5 ohm, -4.5 V, -1 V