RV2C002UNT2L概述
ROHM RV2C002UNT2L 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V
N-Channel 20V 180mA Ta 100mW Ta Surface Mount DFN1006-3 VML1006
得捷:
MOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
立创商城:
N沟道 20V 180A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V ±0.18A 3-Pin DFN1006 T/R
Newark:
# ROHM RV2C002UNT2L MOSFET Transistor, N Channel, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V
RV2C002UNT2L中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 1.4 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 100 mW
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.18A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 12pF @10VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 VML-1006
外形尺寸
封装 VML-1006
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/06/15
RV2C002UNT2L引脚图与封装图 
在线购买RV2C002UNT2L
型号： RV2C002UNT2L
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM RV2C002UNT2L 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 mA, 20 V, 1.4 ohm, 4.5 V, 1 V