RTM002P02T2L

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RTM002P02T2L概述

ROHM  RTM002P02T2L  晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mV

表面贴装型 P 通道 20 V 200mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3


得捷:
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3


立创商城:
RTM002P02T2L


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mV


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R


Newark:
# ROHM  RTM002P02T2L  MOSFET Transistor, P Channel, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mV


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3


RTM002P02T2L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -200 mA

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 150 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 200 mA

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 50pF @10VVds

额定功率Max 150 mW

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723-3

外形尺寸

宽度 0.8 mm

封装 SOT-723-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 工业, 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

RTM002P02T2L引脚图与封装图
RTM002P02T2L引脚图
RTM002P02T2L封装图
RTM002P02T2L封装焊盘图
在线购买RTM002P02T2L
型号: RTM002P02T2L
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  RTM002P02T2L  晶体管, MOSFET, P沟道, -200 mA, -20 V, 1 ohm, -4.5 V, -700 mV
替代型号RTM002P02T2L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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