RQ3E080GNTB概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0129 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 8A Ta 2W Ta, 15W Tc Surface Mount 8-HSMT 3.2x3
得捷:
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
贸泽:
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 18 A, 0.0129 ohm, HSMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R
安富利:
Trans N-CH 30V ±8A 8-Pin HSMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
RQ3E080GNTB中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 16.7 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 3.6 ns
输入电容Ciss 295pF @15VVds
下降时间 2.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2W Ta, 15W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSMT-8
外形尺寸
封装 HSMT-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RQ3E080GNTB引脚图与封装图 
在线购买RQ3E080GNTB
型号： RQ3E080GNTB
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0129 ohm, 10 V, 2.5 V