RU1C002UNTCL概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 V
N-Channel 20V 200mA Ta 150mW Ta Surface Mount UMT3F
得捷:
MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
立创商城:
N沟道 20V 200A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.2A 3-Pin UMTF T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
RU1C002UNTCL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.15 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 25pF @10VVds
额定功率Max 150 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
封装 SOT-323-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RU1C002UNTCL引脚图与封装图 
在线购买RU1C002UNTCL
型号： RU1C002UNTCL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 20 V, 0.8 ohm, 2.5 V, 1 V