RW1E015RPT2R

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RW1E015RPT2R概述

WEMT P-CH 30V 1.5A

P-Channel 30 V 1.5A Ta 400mW Ta Surface Mount 6-WEMT


得捷:
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin WEMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 6-Pin WEMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6


RW1E015RPT2R中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 400mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 230pF @10VVds

额定功率Max 400 mW

下降时间 13 ns

耗散功率Max 400mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RW1E015RPT2R引脚图与封装图
RW1E015RPT2R引脚图
RW1E015RPT2R封装图
RW1E015RPT2R封装焊盘图
在线购买RW1E015RPT2R
型号: RW1E015RPT2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:WEMT P-CH 30V 1.5A
替代型号RW1E015RPT2R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RW1E015RPT2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RRR015P03TL

罗姆半导体

功能相似

RW1E015RPT2R和RRR015P03TL的区别

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