RAQ045P01TCR

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RAQ045P01TCR概述

P沟道 12V 4.5A

P-Channel 12V 4.5A Ta 600mW Ta Surface Mount TSMT6 SC-95


立创商城:
P沟道 12V 4.5A


得捷:
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6


贸泽:
MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin TSMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-Pin TSMT T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin TSMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6


RAQ045P01TCR中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 100 mΩ

耗散功率 1.25 W

阈值电压 300 mV

漏源极电压Vds 12 V

漏源击穿电压 12 V

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 4200pF @6VVds

额定功率Max 600 mW

下降时间 150 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 600mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.8 mm

高度 0.95 mm

封装 TSOT-23-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: RAQ045P01TCR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:P沟道 12V 4.5A

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