RZE002P02TL

RZE002P02TL图片1
RZE002P02TL图片2
RZE002P02TL图片3
RZE002P02TL图片4
RZE002P02TL概述

RZE002P02TL 编带

RZE002P02 Series 20 V 1.2 Ohm 1.4 nC Surface Mount P-Channel MOSFET - EMT-3


得捷:
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3


立创商城:
P沟道 20V 200mA


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.2A 3-Pin EMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 0.2A EMT3


RZE002P02TL中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 150mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 115pF @10VVds

额定功率Max 150 mW

下降时间 17 ns

耗散功率Max 150mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-416

外形尺寸

封装 SOT-416

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

RZE002P02TL引脚图与封装图
RZE002P02TL引脚图
RZE002P02TL封装图
RZE002P02TL封装焊盘图
在线购买RZE002P02TL
型号: RZE002P02TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:RZE002P02TL 编带
替代型号RZE002P02TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RZE002P02TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RE1C002ZPTL

罗姆半导体

功能相似

RZE002P02TL和RE1C002ZPTL的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台