晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30 V 4.5A Tj 1.25W Ta Surface Mount TSMT6 SC-95
得捷:
MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT
立创商城:
RQ6E045BNTCR
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 4.5 A, 0.021 ohm, TSMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R
针脚数 6
漏源极电阻 0.021 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.5A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 330pF @15VVds
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
封装 TSOT-23-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RQ6E045BNTCR ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RSQ045N03TR 罗姆半导体 | 类似代替 | RQ6E045BNTCR和RSQ045N03TR的区别 |