RTU002P02T106

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RTU002P02T106概述

20V,0.25A,P沟道MOSFET

表面贴装型 P 通道 20 V 250mA(Ta) 200mW(Ta) UMT3


得捷:
MOSFET P-CH 20V 250MA UMT3


立创商城:
P沟道 20V 250mA


贸泽:
MOSFET P-CH 20V 200MA SOT-323


艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin TSMT T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 3-Pin TSMT T/R


富昌:
P 沟道 0.2 W -20 V 1.5 Ohm 表面贴装 小信号 MosFet - UMT-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 0.25A 3-Pin TSMT T/R


儒卓力:
**P-CHANNEL MOSFET 20V 0,25A UMT3 **


力源芯城:
20V,0.25A,P沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323


RTU002P02T106中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -200 mA

漏源极电阻 1 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 250 mA

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 50pF @10VVds

额定功率Max 200 mW

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-323-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

RTU002P02T106引脚图与封装图
RTU002P02T106引脚图
RTU002P02T106封装图
RTU002P02T106封装焊盘图
在线购买RTU002P02T106
型号: RTU002P02T106
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:20V,0.25A,P沟道MOSFET

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