RQ3E160ADTB

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RQ3E160ADTB概述

ROHM   RQ3E160ADTB  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 30V 16A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT


立创商城:
N沟道 30V 16A


e络盟:
ROHM   RQ3E160ADTB  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin HSMT EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V ±16A 8-Pin HSMT Embossed Tape and Reel


Newark:
# ROHM  RQ3E160ADTB  MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.5 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT / N-Channel 30 V 16A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3


RQ3E160ADTB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2550pF @15VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

RQ3E160ADTB引脚图与封装图
RQ3E160ADTB引脚图
RQ3E160ADTB封装图
RQ3E160ADTB封装焊盘图
在线购买RQ3E160ADTB
型号: RQ3E160ADTB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM   RQ3E160ADTB  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0035 ohm, 10 V, 2.5 V

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