RT1A060APTR概述
TSST P-CH 12V 6A
P-Channel 12V 6A Ta 600mW Ta Surface Mount 8-TSST
得捷:
MOSFET P-CH 12V 6A 8TSST
贸泽:
MOSFET 1.5V Drive Pch MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A 8-Pin TSST T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 8-Pin TSST T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 6A Automotive 8-Pin TSST T/R
RT1A060APTR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 14 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1.25 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 12 V
连续漏极电流Ids 6A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 7800pF @6VVds
下降时间 260 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 600mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RT1A060APTR引脚图与封装图 
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