RAL025P01TCR概述
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V
P-Channel 12V 2.5A Ta 320mW Ta Surface Mount TUMT6
得捷:
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 12 V, 2.5 A, 0.044 ohm, TUMT, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 2.5A 6-Pin TUMT T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V ±2.5A 6-Pin SOT-363T T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
RAL025P01TCR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.044 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 2.5A
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 2000pF @6VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 320mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SMD-6
外形尺寸
封装 SMD-6
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RAL025P01TCR引脚图与封装图 
在线购买RAL025P01TCR
型号： RAL025P01TCR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -1 V