RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB图片1
RQ3E130BNTB图片2
RQ3E130BNTB图片3
RQ3E130BNTB图片4
RQ3E130BNTB图片5
RQ3E130BNTB概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0044 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 30V 13A Ta 2W Ta Surface Mount 8-HSMT 3.2x3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT


立创商城:
N沟道 30V 13A


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0044 ohm, 10 V, 2.5 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSMT EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V ±13A 8-Pin HSMT Embossed Tape and Reel


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSMT EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8


RQ3E130BNTB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0044 Ω

极性 N-CH

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 34 ns

输入电容Ciss 1900pF @15VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RQ3E130BNTB引脚图与封装图
RQ3E130BNTB引脚图
RQ3E130BNTB封装图
RQ3E130BNTB封装焊盘图
在线购买RQ3E130BNTB
型号: RQ3E130BNTB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 39 A, 30 V, 0.0044 ohm, 10 V, 2.5 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台