RQ6E035ATTCR概述
ROHM RQ6E035ATTCR 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.038 ohm, -10 V, -2.5 V
表面贴装型 P 通道 30 V 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
得捷:
MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
欧时:
MOSFET P-Ch 30V 3.5A SOT-457T
贸泽:
MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.038 ohm, -10 V, -2.5 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSMT T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.5A 6-Pin TSMT T/R
Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -3.5 A, -30 V, 0.038 ohm, -10 V, -2.5 V
RQ6E035ATTCR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.038 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.25 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 3.5A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 475pF @15VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.25W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 TSOT-23-6
外形尺寸
封装 TSOT-23-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RQ6E035ATTCR引脚图与封装图 
在线购买RQ6E035ATTCR
型号： RQ6E035ATTCR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM RQ6E035ATTCR 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 0.038 ohm, -10 V, -2.5 V