RT1C060UNTR

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RT1C060UNTR概述

Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 8Pin TSST T/R

N-Channel 20V 6A Ta 650mW Ta Surface Mount 8-TSST


得捷:
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 6A TSST8


RT1C060UNTR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 650mW Ta

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 870pF @10VVds

额定功率Max 650 mW

耗散功率Max 650mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSST-8

外形尺寸

封装 TSST-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

RT1C060UNTR引脚图与封装图
RT1C060UNTR引脚图
在线购买RT1C060UNTR
型号: RT1C060UNTR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive 8Pin TSST T/R
替代型号RT1C060UNTR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RT1C060UNTR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

FDZ298N

飞兆/仙童

功能相似

RT1C060UNTR和FDZ298N的区别

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