RW1A020ZPT2R

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RW1A020ZPT2R概述

晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V

MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6


得捷:
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6


e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V


安富利:
Trans MOSFET P-CH 12V 2A 6-Pin WEMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH Si 12V 2A 6-Pin WEMT T/R


Win Source:
MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6


RW1A020ZPT2R中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 700 mW

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 770pF @6VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 35 ns

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RW1A020ZPT2R引脚图与封装图
RW1A020ZPT2R引脚图
RW1A020ZPT2R封装图
RW1A020ZPT2R封装焊盘图
在线购买RW1A020ZPT2R
型号: RW1A020ZPT2R
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, P沟道, -2 A, -12 V, 0.075 ohm, -4.5 V, -1 V
替代型号RW1A020ZPT2R
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RW1A020ZPT2R

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RZF020P01TL

罗姆半导体

功能相似

RW1A020ZPT2R和RZF020P01TL的区别

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