Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3Pin TUMT T/R
表面贴装型 P 通道 1A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
得捷:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 20V 1A 3-Pin TUMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin TUMT T/R
DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -1.00 A
漏源极电阻 570 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 800 mW
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 150pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TUMT-3
封装 TUMT-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free