RDD023N50TL

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RDD023N50TL概述

CPT N-CH 500V 2A

N-Channel 500V 2A Tc 20W Tc Surface Mount CPT3


得捷:
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V ±2A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 2A 3-Pin2+Tab CPT T/R


RDD023N50TL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 51 W

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 151pF @25VVds

下降时间 32 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

RDD023N50TL引脚图与封装图
RDD023N50TL引脚图
RDD023N50TL封装图
RDD023N50TL封装焊盘图
在线购买RDD023N50TL
型号: RDD023N50TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:CPT N-CH 500V 2A

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