RS1E130GNTB

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RS1E130GNTB概述

HSOP N-CH 30V 13A

N-Channel 30V 13A Ta 3W Ta, 22.2W Tc Surface Mount 8-HSOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP


立创商城:
RS1E130GNTB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin HSOP EP T/R


安富利:
4.5V DRIVE NCH MOSFET, HSOP8SINGLE, NCH, DISCRETE


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin HSOP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 13A Automotive 8-Pin HSOP EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP


RS1E130GNTB中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 3 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 4.3 ns

输入电容Ciss 420pF @15VVds

下降时间 3.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 22.2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOP-8

外形尺寸

封装 HSOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RS1E130GNTB引脚图与封装图
RS1E130GNTB引脚图
RS1E130GNTB封装图
RS1E130GNTB封装焊盘图
在线购买RS1E130GNTB
型号: RS1E130GNTB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:HSOP N-CH 30V 13A
替代型号RS1E130GNTB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RS1E130GNTB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RMW130N03TB

罗姆半导体

功能相似

RS1E130GNTB和RMW130N03TB的区别

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