RSR025P03TL 编带
表面贴装型 P 通道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
得捷:
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
立创商城:
P沟道 30V 2.5A
贸泽:
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
额定电压DC -30.0 V
额定电流 -2.50 A
通道数 1
漏源极电阻 115 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 2.50 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 460pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.85 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RSR025P03TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SSM3J14T 东芝 | 功能相似 | RSR025P03TL和SSM3J14T的区别 |
SI2307CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix | 功能相似 | RSR025P03TL和SI2307CDS-T1-GE3的区别 |
SI2307CDS-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | RSR025P03TL和SI2307CDS-T1-E3的区别 |