RT1E040RPTR概述
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
P-Channel 30V 4A Ta 550mW Ta Surface Mount 8-TSST
得捷:
MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
贸泽:
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
艾睿:
Trans MOSFET P-CH Si 30V 4A 8-Pin TSST T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V ±4A 8-Pin TSST T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
RT1E040RPTR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 32 mΩ
耗散功率 1.25 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 1000pF @10VVds
额定功率Max 550 mW
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 550mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSST-8
外形尺寸
封装 TSST-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
RT1E040RPTR引脚图与封装图 
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