RS1E170GNTB

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RS1E170GNTB概述

Trans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 8Pin HSOP EP T/R

N-Channel 30 V 17A Ta, 40A Tc 3W Ta, 23W Tc Surface Mount 8-HSOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP


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RS1E170GNTB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin HSOP EP T/R


安富利:
4.5V DRIVE NCH MOSFET, HSOP8SINGLE, NCH, DISCRETE


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Trans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 8-Pin HSOP EP T/R


RS1E170GNTB中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3W Ta, 23.7W Tc

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 4.8 ns

输入电容Ciss 720pF @15VVds

下降时间 3.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 23.7W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOP-8

外形尺寸

封装 HSOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RS1E170GNTB引脚图与封装图
RS1E170GNTB引脚图
RS1E170GNTB封装图
RS1E170GNTB封装焊盘图
在线购买RS1E170GNTB
型号: RS1E170GNTB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 8Pin HSOP EP T/R
替代型号RS1E170GNTB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RS1E170GNTB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RMW180N03TB

罗姆半导体

功能相似

RS1E170GNTB和RMW180N03TB的区别

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