RQ3E180BNTB参数规格_中文资料_数据手册PDF

RQ3E180BNTB概述

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8Pin HSMT EP T/R

N-Channel 30V 39A Tc 2W Ta, 20W Tc Surface Mount 8-HSMT 3.2x3

得捷:
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin HSMT EP T/R

RQ3E180BNTB中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2 W

输入电容Ciss 3500pF @15VVds

耗散功率Max 2W Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RQ3E180BNTB引脚图与封装图

在线购买RQ3E180BNTB

型号： RQ3E180BNTB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8Pin HSMT EP T/R

替代型号RQ3E180BNTB

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
RQ3E180BNTB ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
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