RCD051N20TL概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.54 ohm, 10 V, 5.25 V
N-Channel 200V 5A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.54 ohm, 10 V, 5.25 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V ±5A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
MOSFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 5A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
RCD051N20TL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.85 W
阈值电压 5.25 V
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 330pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
在线购买RCD051N20TL
型号： RCD051N20TL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 0.54 ohm, 10 V, 5.25 V