RQ1C075UNTR

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RQ1C075UNTR概述

N沟道,20V,±7.5A,11mΩ@4.5V

N-Channel 20V 7.5A Ta 700mW Ta Surface Mount TSMT8


得捷:
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8


立创商城:
N沟道 20V 7.5A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V ±7.5A 8-Pin TSMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 8-Pin TSMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A Automotive 8-Pin TSMT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8


RQ1C075UNTR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.5 W

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 1400pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

下降时间 85 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 700mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TSMT-8

外形尺寸

封装 TSMT-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RQ1C075UNTR引脚图与封装图
RQ1C075UNTR引脚图
RQ1C075UNTR封装图
RQ1C075UNTR封装焊盘图
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型号: RQ1C075UNTR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:N沟道,20V,±7.5A,11mΩ@4.5V

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