RSQ020N03TR

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RSQ020N03TR概述

TSMT N-CH 30V 2A

表面贴装型 N 通道 30 V 2A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6


RSQ020N03TR中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 2A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 110pF @10VVds

额定功率Max 1.25 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RSQ020N03TR引脚图与封装图
RSQ020N03TR引脚图
RSQ020N03TR封装图
RSQ020N03TR封装焊盘图
在线购买RSQ020N03TR
型号: RSQ020N03TR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:TSMT N-CH 30V 2A
替代型号RSQ020N03TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSQ020N03TR

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

FDC855N

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