RF4E070GNTR概述
HUML N-CH 30V 7A
30V, 7A, 21.4 MOHM, PQFN 2X2
得捷:
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
贸泽:
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 7A 8-Pin HUML EP T/R
RF4E070GNTR中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 21.4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 220pF @15VVds
下降时间 2.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DFN2020-8
外形尺寸
封装 DFN2020-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
RF4E070GNTR引脚图与封装图 
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