ROHM RS1E200BNTB 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 30 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30V 20A Ta 3W Ta, 25W Tc Surface Mount 8-HSOP
得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
贸泽:
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 20 A, 0.0028 ohm, HSOP, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin HSOP EP T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
针脚数 8
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 25 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 3100pF @15VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 25W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSOP-8
封装 HSOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
