RCD041N25TL

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RCD041N25TL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 0.85 W

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 4A

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 350pF @25VVds

下降时间 15 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

RCD041N25TL引脚图与封装图
RCD041N25TL引脚图
RCD041N25TL封装图
RCD041N25TL封装焊盘图
在线购买RCD041N25TL
型号: RCD041N25TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:CPT N-CH 250V 4A

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