晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 200 V, 0.62 ohm, 10 V, 5.2 V
N-Channel 200V 3A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 3A CPT3
贸泽:
MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 V, 3 A, 0.62 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 3A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 3A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 3A Automotive 3-Pin2+Tab CPT T/R
针脚数 3
漏源极电阻 0.62 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
阈值电压 5.2 V
漏源极电压Vds 200 V
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 270pF @25VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RND030N20TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RD3T050CNTL1 罗姆半导体 | 类似代替 | RND030N20TL和RD3T050CNTL1的区别 |