RS1E200GNTB

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RS1E200GNTB概述

HSOP N-CH 30V 20A

N-Channel 30V 20A Ta 3W Ta, 25.1W Tc Surface Mount 8-HSOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP


贸泽:
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin HSOP EP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A Automotive 8-Pin HSOP EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin HSOP EP T/R


RS1E200GNTB中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 3 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 20A

上升时间 7.2 ns

输入电容Ciss 1080pF @15VVds

下降时间 8.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 25.1W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 HSOP-8

外形尺寸

封装 HSOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RS1E200GNTB引脚图与封装图
RS1E200GNTB引脚图
RS1E200GNTB封装图
RS1E200GNTB封装焊盘图
在线购买RS1E200GNTB
型号: RS1E200GNTB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:HSOP N-CH 30V 20A
替代型号RS1E200GNTB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RS1E200GNTB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

RMW200N03TB

罗姆半导体

功能相似

RS1E200GNTB和RMW200N03TB的区别

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