R6002ENDTL概述
ROHM R6002ENDTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V 新
N-Channel 600V 1.7A Tc 20W Tc Surface Mount CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
Newark:
# ROHM R6002ENDTL MOSFET, N-CH, 600V, 1.7A, TO-252 New
R6002ENDTL中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 2.8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 26 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 1.7A
输入电容Ciss 65pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 20W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买R6002ENDTL
型号： R6002ENDTL
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：ROHM R6002ENDTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V 新