RQ1E050RPTR概述
晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V
表面贴装型 P 通道 5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
得捷:
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
立创商城:
RQ1E050RPTR
贸泽:
MOSFET DRVE PCH MOSFET W/4V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin TSMT T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
DeviceMart:
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
RQ1E050RPTR中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.022 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.5 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1300pF @10VVds
额定功率Max 1.5 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 700mW Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSMT-8
外形尺寸
封装 TSMT-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买RQ1E050RPTR
型号： RQ1E050RPTR
制造商：
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
描述：晶体管, MOSFET, P沟道, -5 A, -30 V, 0.022 ohm, -10 V, -2.5 V