晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 100V 17.5A Ta 20W Tc Surface Mount CPT3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
贸泽:
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V ±17.5A 3-Pin TO-252 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 17.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 75 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 20 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 17.5A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 950pF @25VVds
额定功率Max 20 W
下降时间 50 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 20W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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RSD175N10TL ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RD3P175SNTL1 罗姆半导体 | 类似代替 | RSD175N10TL和RD3P175SNTL1的区别 |
BUZ21CHIP 意法半导体 | 功能相似 | RSD175N10TL和BUZ21CHIP的区别 |