RSD175N10TL

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RSD175N10TL概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 100V 17.5A Ta 20W Tc Surface Mount CPT3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3


贸泽:
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET Drive Nch


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V ±17.5A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 17.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17.5A 3-Pin2+Tab CPT T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3


RSD175N10TL中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 75 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 20 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 17.5A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 950pF @25VVds

额定功率Max 20 W

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

RSD175N10TL引脚图与封装图
RSD175N10TL引脚图
RSD175N10TL封装图
RSD175N10TL封装焊盘图
在线购买RSD175N10TL
型号: RSD175N10TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 100 V, 0.075 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号RSD175N10TL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

RSD175N10TL

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

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