晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.5 V
N-Channel 30 V 30A Ta, 80A Tc 3W Ta, 33W Tc Surface Mount 8-HSOP
得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP
贸泽:
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0017 ohm, 10 V, 2.5 V
安富利:
4.5V DRIVE NCH MOSFET, HSOP8SINGLE, NCH, DISCRETE
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 2.2 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 14.8 ns
输入电容Ciss 2500pF @15VVds
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 33W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 HSOP-8
封装 HSOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
RS1E300GNTB ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
RS1E301GNTB1 罗姆半导体 | 功能相似 | RS1E300GNTB和RS1E301GNTB1的区别 |