RCD075N19TL

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RCD075N19TL概述

CPT N-CH 190V 7.5A

N-Channel 190V 7.5A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3


得捷:
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3


RCD075N19TL中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 850mW Ta, 20W Tc

漏源极电压Vds 190 V

连续漏极电流Ids 7.5A

输入电容Ciss 1100pF @25VVds

耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: RCD075N19TL
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:CPT N-CH 190V 7.5A

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