CPT N-CH 190V 7.5A
N-Channel 190V 7.5A Tc 850mW Ta, 20W Tc Surface Mount CPT3
得捷: MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
极性 N-CH
耗散功率 850mW Ta, 20W Tc
漏源极电压Vds 190 V
连续漏极电流Ids 7.5A
输入电容Ciss 1100pF @25VVds
耗散功率Max 850mW Ta, 20W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册