RF4E110GNTR

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RF4E110GNTR概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0087 ohm, 10 V, 2.5 V

N-Channel 30V 11A Ta 2W Ta Surface Mount HUML2020L8


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MOSFET N-CH 30V 11A HUML2020L8


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N沟道 30V 11A


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Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin HUML EP T/R


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Transistor MOSFET N-CH 30V ±11A 8-Pin DFN Emboss T/R


RF4E110GNTR中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0087 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 5.5 ns

输入电容Ciss 504pF @15VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN2020-8

外形尺寸

封装 DFN2020-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

RF4E110GNTR引脚图与封装图
RF4E110GNTR引脚图
RF4E110GNTR封装图
RF4E110GNTR封装焊盘图
在线购买RF4E110GNTR
型号: RF4E110GNTR
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 0.0087 ohm, 10 V, 2.5 V

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